În acest articol, T-RAM devine axa centrală a analizei, explorând impactul său în diferite domenii ale vieții de zi cu zi. De la influența sa asupra societății actuale, până la relevanța sa în domenii specifice precum educația, politica, economia sau cultura, căutăm să dezvăluim diversele fațete pe care le cuprinde T-RAM. Printr-o analiză detaliată și o perspectivă critică, se dorește să ofere cititorului o viziune largă și multifațetă a T-RAM, evidențiind atât aspectele sale pozitive, cât și provocările și contradicțiile sale. Acest articol își propune să contribuie la dezbaterea și cunoașterea despre T-RAM, deschizând spațiu pentru reflecție și schimb de idei.
T‐RAM (Thyristor RAM) este un tip de memorie volatilă DRAM inventat și dezvoltat în 2009 de T-RAM Semiconductor Inc. din Mountain View, California. Această tehnologie utilizează celule de memorie numite Thyristor Capacitively Coupled Thyristor (TCCT) care exploatează proprietatea electrică cunoscută sub numele de rezistență diferențială negativă (NDR). T-RAM se caracterizează printr-un modul inovator al celulelor de memorie SRAM, în care 4 din cei 6 tranzistori interconectați sunt înlocuiți de un tranzistor bipolar al unui singur tiristor. Datorită acestui fapt, memoria este foarte scalabilă și prezintă o densitate de stocare de câteva ori mai mare decât memoria SRAM convențională cu șase tranzistoare.[1][2]
AMD în colaborare cu GlobalFoundries a intenționat să utilizeze T-RAM pentru procesoarele de generație nouă, de 32 și 22 nanometri.[3]